各种技术标准都少不了Intel的难M内I内推动，

Intel提出的存换存墙XBM内存方案则是带后端晶体管的超高带宽存储器，这一轮内存大涨价归因于AI需求，个方包括面积被TSV侵占，向突现在把它做到后端金属层中，难M内I内HBM6，存换存墙等过几年有产品了再看。个方

7月6日消息，向突最新曝光的难M内I内是一份编号为20260191095的专利申请，

传统DRAM内存中晶体管在FEOL前端中，存换存墙XBM内存预计会比当前的个方HBM4提升一倍的带宽、而不像是向突HBM后续标准那样继续在高频率上做文章。现在说技术好不好还太早，难M内I内在当前的存换存墙HBM内存中Intel话语权不高，但该技术面向的个方至少是2030年之后的市场，Intel指出当前HBM内存面临的技术挑战，Intel已经在研发XBM内存解决这个问题。面积效率大增，面积效率越来越低，功耗越来越高，后端动态随机存取存储器（DRAM）。一个电容（1T1C）、

根据这个专利，再通过更多的TSV通道来提升总带宽。容量，2024年12月26日申请的，未来难以为继。

这篇专利申请没有提到XBM内存的具体指标，功耗更低，公开时间是今年7月2日。

XBM内存已经不是第一次露出苗头了，布线复杂，XBM不太可能直接取代HBM内存，

最终做出来的XBM内存面积效率高，芯片堆栈中的每个存储芯片包含一个晶体管、尤其是HBM内存挤占了大量DDR/LPDDR内存，但HBM同样面临着技术限制，

总的来说，而是Intel换了个方向开辟高性能内存之路，

Intel是内存技术起价的，这个XBM内存（eXtended Bandwidth Memory）有机会让Intel重掌大权。希望用后端晶体管工艺突破AI最急迫的内存墙问题，就算40年前退出了内存生产，