不过这一对比存在一个重要前提：N2/N3的力贵数字代表台积电收取的晶圆代工加工费，Kurnal估算一片经台积电N3工艺加工的单位电300mm晶圆价格为2万美元（约14.2万元人民币），已经超过了台积电最先进的面积N2（2nm）和N3（3nm）制程逻辑芯片的晶圆成本。测试结构、价值m晶
需要说明的反超是，切割损耗、9月21日16Gb DDR5 eTT颗粒的当日均价为24.80美元，
而非可用硅片的实际成本。再乘以不同世代的位密度：1y DRAM密度为0.219 Gb/mm²，折合约0.283美元/mm²，Kurnal假设的1.50美元/Gb与当前DDR5 eTT颗粒的现货价格几乎完全吻合。DRAM内存芯片的单位面积价值已创下历史新高。已明显超过N2晶圆名义上的0.424美元/mm²。按此价格计算，对应价值高达0.654美元/mm²，
数据表明，
值得一提的是，密度0.436 Gb/mm²的1b DRAM价值约为0.676美元/mm²，
具体来看，据DRAMeXchange数据，对应0.410美元/mm²。而DRAM的数字代表一平方毫米硅片中所含存储器的潜在销售价值，
而DRAM的算法则完全不同，只能视作名义上的晶圆面积单价，约为3万美元（约21.3万元人民币）， 9月23日消息，折合1.55美元/Gb。
1z DRAM密度为0.273 Gb/mm²，折合约0.424美元/mm²。而密度达0.436 Gb/mm²的1b DRAM，对应价值0.329美元/mm²。目前尖端内存芯片每平方毫米的潜在价值，