业内判断，混合键合凉K海据报道，力士
若未来HBM5E阶段I/O进一步翻倍至4096个，急刹当前HBM4的用不也悬I/O数量已翻倍至2048个。短期内混合键合不会大规模部署，混合键合凉K海即使到HBM4E阶段，力士届时必须采用混合键合以实现更高密度连接。急刹两家公司正重新评估采用混合键合的用不也悬时机，
散热问题也有了更简单的混合键合凉K海替代方案。厚度标准松动后，力士导热硅冷却元件嵌入D2D PHY层，急刹混合键合的无凸点减薄优势不再紧迫。
7月6日消息，在封装内部加入独立热柱，无需使用凸点，将电绝缘、
然而，JEDEC正在讨论将HBM5的厚度标准从当前的775微米放宽至最高约1000微米。两家公司计划从HBM5开始应用各自方案。12层产品仍极有可能被用作主流产品。现有TC热压合工艺将因凸点横向扩散而难以支撑，目前客户和内存制造商并未积极讨论16层HBM的问题。行业分析师指出，可从堆叠内部带走热量。
混合键合技术在下一代HBM上的全面应用可能比预期进一步延迟。
16层以上高堆叠产品的需求并不紧迫，即使到HBM5也可能暂不采用。
混合键合技术直接连接DRAM芯片间的铜线，
而HBM3E标准厚度为720微米，HBM4已放宽至775微米。不过混合键合的研发并未停滞。三星电子与SK海力士在引入混合键合技术，但中长期当I/O密度再次爆炸时仍是发展方向。
SK海力士则推出iHBM技术，这进一步延缓了混合键合的规模化部署。